NTGS3447P
1
50% Duty Cycle
20%
0.1
10%
5%
2%
P (pk)
0.01
0.001
1%
Single Pulse
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
Test Type = 1 sq in 2 oz
R q JA = 1 sq in 2 oz
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (s)
Figure 12. FET Thermal Response
http://onsemi.com
5
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NTGS4111PT1G 功能描述:MOSFET -30V -4.7A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTGS4111PT2G 功能描述:MOSFET PFET 4.7A 30V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube